Étude récente du marché mondial Dispositivo GaN Semiconductor 2021 comprenant les facteurs de croissance, les applications, l’analyse régionale, les acteurs clés et les prévisions 2024

Le rapport Global Dispositivo GaN Semiconductor Market est un aperçu du marché mondial est fourni avec un accent principal sur les facteurs qui stimulent et entravent le marché. Cela aidera les investisseurs à comprendre clairement les aspects sur lesquels se concentrer et comment soutenir économiquement le marché à l’échelle mondiale. L’impact du scénario réglementaire en vigueur sur le marché régional et mondial de Dispositivo GaN Semiconductor est fourni en détail dans ce rapport.

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Aperçu du marché:
-Le marché du dispositif semi-conducteur GaN évalué à USD 833.730.000 en 2018, et devrait atteindre USD 2.162.450.000 par 2024, enregistrant un TCAC de 17,21% sur la période de prévision de 2019-2024. La demande croissante de fréquence radio dans le marché des semi-conducteurs, et un secteur de l’électronique grand public prospère, en particulier en matière d’éclairage à base de LED et affiche et montée dans les véhicules électriques, la livraison de puissance, et des onduleurs photovoltaïques sont parmi les principaux facteurs de marché pour les dispositifs à semi-conducteur à base de GaN marché.
– Les divers avantages de GaN tels que sa nature économique et l’élimination des exigences de refroidissement ont propulsé sa portée par rapport à ses contemporains tels que le silicium et l’arséniure de gallium. L’adoption croissante est également renforcée par l’augmentation de la demande de dispositifs semi-conducteurs économes en énergie dans les dernières années.
– L’augmentation de la demande pour les smartphones, consoles de jeux, ordinateurs portables, téléviseurs et devrait conduire le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN dans le secteur de l’électronique grand public.
– Avec l’introduction de la norme 5G, il y a une augmentation de la demande pour les transistors de forte puissance et des stations de base, qui est en augmentant la demande pour les semi-conducteurs de puissance GaN dans le segment de TIC.

Le rapport présente également le paysage de la concurrence sur le marché et une analyse détaillée correspondante des principaux fournisseurs / fabricants sur le marché. Les principaux fabricants couverts dans ce rapport sur l’industrie du marché Dispositivo GaN Semiconductor:

– Toshiba Corporation
– Panasonic Corporation
– Cree Inc.
– GaN Systems Inc.
– Infineon Technologies AG
– OSRAM GmbH
– Efficient Power Conversion Corporation
– NXP Semiconductors NV
– Texas Instruments
– NTT Advanced Technology Corporation

Principales tendances du marché:

-Consumer secteur électronique devrait tenir plus grand marché Partager

– Avec la baisse du prix des technologies de semi-conducteurs GaN en raison des innovations de plus en plus, le taux d’adoption de GaN devrait augmenter au fil des ans.
– Le taux de consommation de données, nombre d’applications installées sur un appareil, des processeurs plus rapides, une meilleure RAM / ROM, affiche robustes consomment la batterie plus que ce que specifictaions antérieures utiliseraient. Avec ces avancées technologiques, la capacité des batteries doit augmenter. les semi-conducteurs GaN sont en train de révolutionner les technologies de charge dans les dispositifs électroniques existants. Les semi-conducteurs sont utilisés dans le chargement sans fil, recharge rapide, etc.
– des applications plus larges du dispositif à semi-conducteur GaN sont allant à d’autres parties de l’ordinateur et, pour le mode de commutation d’instance d’alimentation, un convertisseur d’énergie efficace.
– Avec 5G communication sans fil sur son chemin, l’utilisation des appareils électroniques augmenterait mulifold, faisant ainsi croître la demande pour les semi-conducteurs GaN.

Région -Asie-Pacifique devrait voir le plus rapide taux de croissance

– L’augmentation de la production et l’exportation de l’électronique grand public et les automobiles de la Chine, le Japon et l’Inde conduisent le marché de GaN en Asie-Pacifique.
– la main-d’œuvre et les coûts de production faibles dans la région sont des facteurs essentiels qui alimentent la croissance du marché.
– La Chine a 330.000 points de charge publics, contre 67500 dans les États-Unis, selon l’étude du MIT. Shenzhen dispose d’une flotte électrique de 100 pour cent de 16.000 bus et commute ses 22.000 taxis à des véhicules électriques. L’île de villégiature de Hainan prévoit pour 100 pour cent l’adoption des véhicules électriques d’ici 2030.
– Le 7 Mars 2019, le gouvernement indien a annoncé officiellement une subvention à l’importation de 15% sur le lithium. Cela indique la facilité de la production de véhicules électriques dans le pays. négociations politiques entre l’Office du Premier ministre et le ministère de l’Industrie lourde (IHD), l’adoption plus rapide et la fabrication de (hybrides et) système véhicules électriques, a été passé à faire l’Inde tour sur le chemin de la mobilité électrique.
– Divers gouvernements de l’Etat en Inde, font pression pour l’adoption de masse des bus électriques. Par exemple, Mahindra et Tata signent des offres avec des organismes gouvernementaux tels que l’efficacité énergétique Services Limited pour fournir des véhicules électriques pour l’usage du gouvernement.

Dynamique du marché: –
• Moteurs: (régions en développement et marchés en croissance)
• Limitations: (régionales, principaux acteurs confrontés à des problèmes, futurs obstacles à la croissance)
• Opportunités: (régionales, taux de croissance, concurrentiel, consommation)
Le rapport fournit des statistiques clés sur l’état du marché des fabricants du marché Dispositivo GaN Semiconductor et constitue une source précieuse de conseils et d’orientation pour les entreprises et les particuliers intéressés par le Dispositivo GaN Semiconductor.

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Les principales questions auxquelles répond le rapport sont les suivantes:
• Quelle sera la taille du marché du Dispositivo GaN Semiconductor et le taux de croissance en 2024?
• Quels sont les facteurs clés du marché mondial du Dispositivo GaN Semiconductor?
• Quelles sont les principales tendances du marché ayant un impact sur la croissance du
marché mondial du Dispositivo GaN Semiconductor?
• Quels sont les défis de la croissance du marché Dispositivo GaN Semiconductor?
• Qui sont les principaux fournisseurs sur le marché mondial du Dispositivo GaN Semiconductor?
• Quelles sont les opportunités de marché et les menaces auxquelles sont confrontés les fournisseurs sur le marché mondial du Dispositivo GaN Semiconductor?
• Facteurs de tendance influençant les parts de marché du Dispositivo GaN Semiconductor des régions concernées.
• Quels sont les principaux résultats de l’analyse des cinq forces du marché mondial Dispositivo GaN Semiconductor?
Objectifs de l’étude du rapport de marché Dispositivo GaN Semiconductor:
• Fournir une analyse détaillée de la structure du marché ainsi que les prévisions du marché Dispositivo GaN Semiconductor de divers segments et sous-segments du marché Dispositivo GaN Semiconductor
• Fournir des informations sur les facteurs influençant et affectant la croissance du marché
• Fournir des revenus historiques, actuels et prévisionnels des segments de marché en fonction du matériau, du type, de la conception et de l’utilisateur final
• Fournir des revenus historiques, actuels et prévisionnels des segments et sous-segments de marché par rapport aux marchés régionaux et aux pays clés
• Fournir un profilage stratégique des principaux acteurs du marché, en analysant de manière exhaustive leurs parts de marché, leurs compétences de base et en dessinant un paysage concurrentiel pour le marché
• Fournir les facteurs économiques, la technologie et les tendances du marché Dispositivo GaN Semiconductor qui influencent le marché mondial Dispositivo GaN Semiconductor

Table des matières détaillée du marché mondial Dispositivo GaN Semiconductor – Croissance, tendances, prévisions et défis
1. Introduction
1.1 Livrables de l’étude
1.2 Hypothèses générales de l’étude
2. Méthodologie de recherche
2.1 Présentation
2.2 Méthodologie d’analyse
2.3 Phases d’étude
2.4 Modélisation économétrique
3. Résumé analytique
4. Aperçu du marché et tendances du marché Dispositivo GaN Semiconductor
4.1 Présentation
4.2 Tendances du marché
4.3 Cadre des cinq forces de Porter
4.3.1 Pouvoir de négociation des fournisseurs
4.3.2 Pouvoir de négociation des consommateurs
4.3.3 Menace des nouveaux entrants
4.3.4 Menace des produits et services de substitution
4.3.5 Rivalité concurrentielle au sein de l’industrie
5. Dynamique du marché du marché Dispositivo GaN Semiconductor
5.1 Pilotes
5.1.1 Augmentation de la production
5.1.2 Demande croissante
5.2 Contraintes
5.3 Opportunités
6. Segmentation globale du marché Dispositivo GaN Semiconductor, par capacité
7. Segmentation globale du marché Dispositivo GaN Semiconductor, par type de matériau
7.1 Type 1
7.2 Type 2
7.3 Type 3
8. Segmentation du marché mondial du Dispositivo GaN Semiconductor, segmenté par région
8.1 Amérique du Nord
8.1.1 États-Unis
8.1.2 Canada
8.1.3 Reste de l’Amérique du Nord
8.2 Asie-Pacifique
8.2.1 Chine
8.2.2 Japon
8.2.3 Inde
8.2.4 Reste de l’Asie-Pacifique
8.3 Europe
8.3.1 Royaume-Uni
8.3.2 Allemagne
8.3.3 France
8.3.4 Russie
8.3.5 Reste de l’Europe
8.4 Reste du monde
8.4.1 Brésil
8.4.2 Afrique du Sud
8.4.3 Autres
9. Paysage concurrentiel et introduction du marché Dispositivo GaN Semiconductor
9.1 Présentation
9.2 Analyse de la part de marché
9.3 Développements des principaux acteurs
10. Analyse des principaux fournisseurs (présentation, produits et services, stratégies)
10.1 Société 1
10.2 Société 2
10.3 Société 3
11. Clause de non-responsabilité
Et beaucoup plus….

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